Дослідження логічних елементів емітерно-зв'язаної логіки

Схемотехника

Міністерство Освіти та Науки України

ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

Радіофізичний факультет

Кафедра радіоелектроніки

КУРСОВА РОБОТА < p> З курсу: Цифрова схемотехніка

На тему

Дослідження логічних елементів емітерно-зв'язаної логіки

Виконала: ст. гр. РБ-99-1

Дубіна О. Л.

Перевірив: ст. викл. каф. РЕ

Груздов В. Є..

Дніпропетровськ

2003

Реферат

Курсова робота: 25 стор. , 3 табл., 16 рис., 5 літ. джерел.

ЕМІТЕРНО-зв'язана ЛОГІКА, логічні елементи, ДОСЛІДЖЕННЯ, МАКЕТ,
Мікросхема.

В даній роботі надано основні теоретичні дані логічних елементів.
Згідно з теорією розроблений макет дослідження логічних елементів емітерно -зв'язаної логіки, а саме - дослідження мікросхеми, яка складається з двохлогічних елементів 3АБО-НІ, за допомогою якої можна дослідити принципроботи всіх інших типів логічних елементів. Також надані рекомендації таметодичні вказівки щодо роботи зі розробленим макетом.

ЗМІСТ

Вступ

1.Основні теоретичні відомості

2.Робота приладу

3.Постановка задачі

4.Вібір схеми

5.Конструкція макету

6.Завдання для підготовки до роботи

7.Порядок виконання роботи

Висновки

Список використаних джерел

ВСТУП

В даний час у зв'язку з бурхливим розвитком науки і техніки широкезастосування одержали схемотехнології, які активно застосовуються вінтегральних схемах. У даній роботі розглянута різні мікросхеми на емітерно -зв'язаній логіці, але досліджується саме мікросхема К137ЛЕ3 на логічнихелементах.

1. ОСНОВНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

математичною основою цифрової електроніки й обчислювальної техніки єалгебра чи логіки булева алгебра (по імені англійського математика Джона
Буля). У булевої алгебрі незалежні змінні чи аргументи (X) приймають тількидва значення: 0 чи 1. Залежні змінні чи функції (Y) також можуть прийматитільки одне з двох значень: 0 чи 1. Функція алгебри логіки (ФАЛ)представляється у вигляді:

Y = F (X1; X2; X3 ... XN).

Дана форма завдання ФАЛ називається алгебраїчної.

Основними логічними функціями є:

- логічне заперечення (інверсія)

Y =;

- логічне додавання (діз'юнкція)

Y = X1 + X2 чи Y = X1 V X2;

- логічне множення (конь'юнкція)

Y = X1 (X2 чи Y = X1 (X2.

До більш складних функцій алгебри логіки відносяться:

- функція рівнозначності (еквівалентності)

Y = X1 (X2 + чи Y = X1 (X2;

- функція нерівнозначності (додавання по модулі два)

Y = X1 (+ (X2 чи Y = X1 X2;

- функція Пірса (логічне додавання з запереченням)

Y =;

- функція Шеффера (логічне множення з запереченням)

Y =;

Логічний елемент - це електронний пристрій, що реалізує одну злогічних операцій. Логічні елементи являють собою електронні пристрої, уяких оброблювана інформація закодована у вигляді двійкових чисел,відображуваніх напругою (сигналом) високого і низького рівня. Термін
«Логічні» прийшов в електроніку з алгебри логіки, що оперує зі зміннимивеличинами і їхніми функціями, що можуть приймати тільки два значення:
«Істинно» чи «хибно». Для позначення чи істинності хибності висловленьвикористовують відповідно символи 1 чи 0. Кожна логічна Перемінна можеприймати тільки одне значення: 1 чи 0. Ці двійкові змінні і функції від нихназиваються логічними змінними і логічними функціями. Пристрою, щореалізують логічні функції, називаються логічними чи цифровими пристроями.
На рис. 1 - 10 представлені логічні елементи, що реалізують розглянені вищефункції. Там же представлені так назівані таблиці чи станів таблиціістинності, що описують відповідні логічні функції в двійковому коді у видістанів вхідних і вихідних перемінніх. Таблиця істинності є також табличнийспособом завдання ФАЛ.

На рис.1 представлений елемент "НІ", що реалізує функцію логічногозаперечення Y =.

Рис. 1. Елемент НІ

Елемент "АБО" (рис.2) і елемент "І" (рис.3) реалізують функціїлогічного додавання і логічного множення відповідно.

Рис. 2. Елемент АБО.

Рис. 3. Елемент І

Функції Пірса і функції Шеффера реалізуються за допомогою елементів
"АБО-НІ" і "І-НІ", представлених на рис.4 і рис. 5 відповідно.

Рис. 4. Елемент АБО-НІ.

Рис. 5. Елемент І-НІ.

Елемент Пірса можна представити у виді послідовного з'єднанняелемента "АБО" і елемента "НІ" (рис.6), а елемент Шеффера - у видіпослідовного з'єднання елемента "І" і елемента "НІ" (рис.7).

На рисунку 8 і 9 представлені елементи "Що виключає Або" і "Щовиключає АБО-НІ ", що реалізують функції нерівнозначності і нерівнозначностіз запереченням відповідно.

Рис. 8. Елемент, що виключає АБО.

Рис. 9. Елемент, що виключає АБО-НІ.

Логічні елементи, що реалізують операції кон'юнкції, діз'юнкції,функції Пірса і Шеффера, можуть бути, у загальному випадку, n - входові.
Так, наприклад, логічний елемент із трьома входами, що реалізує функцію
Пірса, має вид, представлений на рис.10.

Рис.10

У таблиці істинності (рис.10) є вісім значень вихідних змінних Y. Цякількість визначається числом можливих комбінацій вхідних змінних N, що, узагальному випадку, дорівнює: N = 2 n, де n - число вхідних змінних.

Логічні елементи по режиму роботи підрозділяються на статичні ідинамічні. Статичні ЛЕ можуть працювати як у статичному, так і динамічному
(імпульсному) режимах. Статичні елементи найбільше широко використовуютьсяв сучасних мікросхемах. Динамічні ЛЕ можуть працювати тільки в імпульсномурежимі.

Логічні елементи класифікують також за типом транзисторів, якізастосовуються. Найбільше поширення одержали ЛЕ на біполярних і МДП --транзисторах і МДП - транзисторах. Крім того, інтенсивно розробляються ЛЕна арсенід - галієвіх МЕП і ГМЕП - транзисторах. Для кожного зперерахованих типів ЛЕ існує число схемотехнічніх і конструктивно --технологічних різновидів.

Розглянемо найбільш розповсюджені схемотехнології, якізастосовуються в інтегральних схемах:

1. Транзисторно-транзисторна логіка (ТТЛ).

2. Емітерно-зв'язана логіка (ЕЗЛ).

3. Логіка, побудована на основі структури метал-діелетрік-напівпровіднік з п-каналом (пМДП).

4. Логіка, побудована на основі структури метал-діелетрік-напівпровіднік із транзисторами різної провідності (КМДП).

Технологія ЕЗЛ.

Технологія ЕЗЛ є так само, як і технологія ТТЛ, біполярною, тобтоелементи будуються з використанням біполярних структур. Основою елементів
ЕЗЛ є так називаний «перемикач струму», на основі якого будується базовийелемент цієї технології - АБО--НІ (див. рис. 11); по віходу1 даної схемиреалізується логічна функція АБО-НІ, а по віходу2 - АБО.

Через низький вхідний опір схеми ЕЗЛ мають високу швидкодію і працюютьпереважно в активному режимі, отже, перешкода, яка попадає на вхід,підсилюється. Для підвищення перешкодостійкості шину колекторного живленняроблять дуже товстої і з'єднують із загальною шиною.

Рис. 11. Базовий елемент ЕЗЛ.

У порівнянні зі схемами ТТЛ схеми ЕЗЛ мають більш високу швидкодію,але пперешкодостійкість у них набагато нижче. Схеми ЕЗЛ займають великуплощу на кристалі, споживають велику потужність у статичному стані, тому щовихідні транзистори відкриті і через них протікає великий струм. Схеми,побудовані за даною технологією не сумісні зі схемами, побудованими поінших технологіях, що використовує джерела позитивної напруги.
Будь-який цифровий пристрій призначений для виконання тієї чи іншоїлогічної функції, отже, такий пристрій можна представити у видіелементарних комірок, таких як НІ, І-НІ, АБО-НІ, які приведені нижче втаблиці 1.

Таблиця 1. Основні логічні функції

2. РОБОТА ЕЛЕМЕНТИ ЕМІТЕРНО-З'ВЯЗАНОЇ логіки

Найбільш швідкодіючімі логічними ІМС у даний час є елементи емітерно -зв'язаної логіки (ЕЗЛ) і особливо елементи емітерно-зв'язаної логіки земітернімі повторювачамі на вході (ЕЕЗЛ). Ці елементи працюють у режиміпереключення струму, і в них висока швидкодія забезпечується, насамперед,за рахунок запобігання насичення транзисторів шляхом введення глибокогозворотного зв'язку по струму за допомогою резистора в колі емітера. Цейзворотний зв'язок одночасно сприяє скороченню тривалості перехіднихпроцесів у базі транзисторів. Важливу роль грають обмеження меж зміниперепадів напруги і використання емітерніх повторювачів для введення ізнімання інформації.
Найбільш простим елементом на перемикача струму є елемент ЕЗЛ, схемаякого показана на рис. 1. Особливості елементів з об'єднаними емітерамізручно пояснити на прикладі цього елемента.

Рис. 12. Мікросхема ЕЗЛ
Основу розглянутої групи ІМС складає перемикач струму, що являє собоюключовий елемент на транзисторах з об'єднаними емітерамі, (на рис. 1транзистори T1 - Тз і Т). У емітерне коло транзисторів задається струм I0постійного значення. Сталість струму I0 підтримується або шляхом включенняв коло емітером порівняно вісокоомічного резистора R (рис. 12), або шляхомвикористання транзисторного джерела струму. Значення струму I0 вибираютьтак, щоб у нормальному режимі роботи елемента виключалися насиченнятранзисторів, що утворюють перемикач струму.
Керування перемикач струму здійснюється шляхом подачі сигналів на бази транзисторів T1 - Т3. На базу транзистора T подається фіксований опорний потенціал Uоп, значення якого вибирають так, щоб транзистор Т був здатний пропускати повністю струм I0 при встановленні на базах вхідних транзисторів низького потенціалу, відповідаючого логічному 0. При подачі високого потенціалу, що відповідає логічній 1, на базу хоча б одного з вхідних транзисторів струм I0 перемікається в емітерне коло відповідного вхідного транзистора. При цьому транзистор Т с фіксованим зсувом замикається. При перемиканні елемента відбувається зміна вихідних потенціалів: потенціал колекторів вхідних транзисторів знижується на, а потенціал колектора транзистора Т, підвищуючи на, досягає рівня напруги джерела живлення Ег.
У колі послідовно включених перемікачів струму Колекторні потенціали не можна безпосередньо використовувати як вхідні напруги для керування наступними ІМС, тому що вони перевищують рівні відповідних потенціалів на входах. Для нормальної роботи ІМС необхідно зробити зрушення рівня колекторних потенціалів. Для цієї мети найбільше часто використовують емітерні повторювачі, що підключаються до колекторів вхідних транзисторів і транзистора з фіксованим зсувом (рис. 1 повторювачі на транзисторах Т4 і
Т5). При цьому зрушення рівня дорівнює перепаду напруги між базою і емітером Uбе.сд транзистора. Цим перепадом напруги лімітується розмах логічного сигналу.
Дійсно, на базу вхідного транзистора в провідному стані подається вхідна напруга, яке відповідає логічній 1, що призводить до відмікання цього транзистора і зниженню потенціалу колекторів вхідних транзисторів.
При цьому, щоб відкритий транзистор не насічувався, Необхідно забезпечити виконання умови
, що можливо тільки в тому випадку, якщо перепад напруги на колекторі не перевищує напруга зрушення, створена повторювачем, тобто при

(1)

Порушення цієї умови приводить до насичення транзистора, тому що потенціал його колектора виявляється нижче потенціалу бази. Отже, збільшення розмаху логічного сигналу, який визначається перепадом напруги в колекторного колі вхідних транзисторів, припустимо тільки при відповідному збільшенні зсуву рівня Uбе.сд. Цього можна досягти, наприклад, шляхом вмикання додаткового діода, що зміщає, у емітерні кола транзисторів
Т4 і Т5. Емітерні повторювачі (без зсувних діодів) забезпечують зсув рівня, що складає 0,8 - 0,9 В. Розмах логічного сигналу, дорівнює цьому значенню, виявляється достатнім для більшості цифрових автоматів, побудованих на елементах ЕЗЛ. При цьому, щоб одержати однаковий розмах логічного сигналу на що інвертуючому і неінвертуючому виходах елемента значення опорів резисторів RKl = RK2 вибираються рівними один одному: RKl
= RK2 = RK.

Включення повторювачів призводить також до зменшення вихідного опоруелемента, що сприяє підвищенню його навантажувальної здатності і швидкодії.
Таким чином, перемикач струму, доповнений емітернімі повторювачамі, стаєлогічним елементом, що реалізує операції АБО-НІ і АБО. Сигнал, щовідповідають операції АБО-НІ, знімається з виходу повторювача, підключеногодо інвертуючої половини елемента (тобто до колекторів вхіднихтранзисторів), а сигнал, що відповідає операції АБО, - з виходуповторювача, зв'язаного з транзистором Т (рис. 12).

Елементи на перемикача струму виготовляються у виглядінапівпровідникових чи сполучених ІМС. Так як в цих ІМС транзистори працюютьбез насичення, то шляхом підключення підкладки та ізолюючих шарів до точоквідповідно з найменшим і найбільшим потенціаламі можна замкнути паразітнітранзистори, вімкнувші тим самим їх активну дію. Тому в ІМС на перемикачаструму виявляється тільки ємнісній вплив підкладки.

На рис. 13 показана перемікальна характеристика мікросхеми ЕЗЛ для двох їївиходів: інвертуючого (Uвих1) та неінвертуючого (Uвих2).

рис. 13. Перемікальні характеристики мікросхеми ЕЗЛ.

При вхідних напругах, менших потенціалу відмікання, вхідні транзисторизалишаються замкненим і на інвертуючому встановлюється високий потенціал

(2) відповідний логічній 1 (lес. -. число вхідних транзисторів). При цьому струм I0 цілком відбирається транзистором Т з фіксованим зсувом і на неінвертуючому виході установлюється низький потенціал

(3) відповідний логічному 0. Розмахлогічного сигналу

(4)
Коли напруга Uвх досягає потенціалу відмікання, вхідні транзисторипочинають проводити, і струм I0 частково відгалужується в емітері провіднихтранзисторів. Якщо одночасно проводять lпр вхідних транзисторів (іззагального числа lес), то потенціал колектора цих транзисторів зменшуєтьсяі відповідно знижується напруга на інвертуючому виході до рівня

(5)
Через перерозподіл струму I0 змінюється і напруга на виході неінвертуючому

(6)
Струм емітерів Іе1 і Іе відповідно для вхідних транзисторів і транзистора
Т визначаються співвідношеннямі

(7)де U0 = IoR - потенціал об'єднаних емітерів відносно загальної шиниживлення.
При відміканні вхідних транзисторів трохи змінюється струм I0 і відповіднопотенціал об'єднаних емітерів U0. Зміна струму I0 настільки незначна, що їмможна не враховувати. Не так істотно змінюється і потенціал U0 (упорівнянні зі своїм середнім значенням). Однак ця незначна зміна U0порівнянна з напругою на емітерніх переходах транзисторів. Саме вонапризводить до зміни струму емітера Іе транзистора з фіксованим зсувом, тому
. для правильного розрахунку перемікальної характеристики необхідновраховувати зміну U0 зі зміною вхідної напруги Uвх. Залежність U0 про від
Uвх можна визначити із рівняння І0 = ІпрІе1 + Іе, представивши його внаступному виді:

Визначивши із цього рівняння

можна виразити залежність вихідних напруг від вхідної напруги наступнимиспіввідношеннямі:

(8)
При зміні вхідної напруги трохи міняється і різниця потенціалів Uбе.сд наемітерному переході транзисторів у схемах повторювачів. Тому що в робочомудіапазоні відхилення Uбе.сд від свого середнього значення незначні, то припрактичних розрахунках ними можна зневажати, прийнявши

(9)
Це значення Uбе.сд відповідає середньому значенню струму емітератранзистора в схемі повторювача, який визначається зі співвідношення

(10)де
Тому що та визначаються через Uбе.сд, то при первіснихрозрахунках зручно замість формули (9) скористатися співвідношенням,

(11)заснованим на рівності Uоп = 0,5 (+), до виконання якого звичайнопрагнуть, щоб забезпечити симетрію елемента по граничних напругах.
Коли транзистор Т перестає проводити, струм І0 цілком відбираєтьсяпровідними вхідними транзисторами. Після цього зі збільшенням вхідноїнапруги спостерігається зменшення напруги на інвертуючому виході Uвих1 Томущо після повного переключення струму І0 провідні вхідні транзисторипрацюють із глибоким негативним зворотним зв'язком по струму, що протікаєчерез резистор R, то зменшення Uвих1 незначне. При напрузі Uвх.настранзистори насичуються, їхній базовий струм відгалужується в колекторнихланцюг, зменшуючи перепад напруги на RK1, тому Uвих1 зростає (рис. 13).
Насичення вхідних транзисторів порушує нормальний режим роботи ІМС, томушляхом відповідного підбора параметрів схеми і напруг джерел живлення такийрежим роботи вимикається.

Як видно з графіків на рис. 13, перемікальні характеристики Uвих1 і Uвих2 перетинаються в точці 3, координати якої можна визначити зрівняння Uвих1 =
Uвих2 На підставі цього рівняння можна показати, що перемікальні характеристики перетинаються при вхідній напрузі:

При цьому

тобто в точці перетину < br> (12)

Якщо опорна напруга обрана рівним середньому значенню, тобто

(13)те робочі точки 1 і 2 розташовуються симетрично щодо середньої точки 3 дляlпр = 1 (рис. 13).
Тому що в мікросхемі ЕЗЛ транзистори працюють в активній області у всьомуробочому діапазоні зміни вхідної напруги, те перешкодостійкість обмежуєтьсянапругою, при якій коефіцієнт підсилення логічного елемента по відповіднимвиходах зростає до 1. На підставі (8) можна показати, що коефіцієнтпідсилення по інвертуючому виходу стає рівним мінус одиниці привхідній напрузі

(14)а по неінвертірующему виході-одиниці 1), коли вхідна напруга досягає

(15)
Коефіцієент К визначається виразом

(16)

Перешкодостійкість ІМС, яка визначається як різниця вхідних напруг уробочих струму і при одиничному коефіцієнті підсилення, розраховується заформулами
які виходять на підставі формул, виведених вище. Помітимо, що при lпр = 1перешкодостійкість для логічної 1 і логічного 0 по входу виявляєтьсяоднаковою. Зі збільшенням числа провідних транзисторів lпр симетрія ІМС поперешкодостійкості порушується; перешкодостійкість для логічної 1 стаєбільше перешкодостійкою для логічного 0.
При визначенні навантажувальної здатності і коефіцієнта об'єднання повходу в ІМС на перемикача струму припустимі значення перешкодостійкості НЕє визначальними, як це має місце для інших типів логічних елементів. Длярозглянутої групи ІМС зазначені параметри визначаються припустимимзбільшенням тривалості перехідних процесів, тому що ІМС на перемикачаструму є швідкодіючімі і саме цей параметр для них є визначальним.

Підвищення швидкодії елемента ЕЗЛ досягається шляхом помітного збільшенняспоживаної потужності. Середнє значення цієї потужності можна розрахуватипо формулі

(17)у який перший доданок - це потужність, споживана перемикач струму,а другий доданок - середня потужність, споживана емітерніміповторювачамі. Виразу на підставі (13) напругу Ек через Uоп, Uлогта Uбе.сд, одержимо:

(18)
Подальше удосконалення логічних елементів на перемикача струму призвело до розробки ІМС емітерно-зв'язаної логіки з емітернімі повторювачамі на вході (скорочено ЕЕЗЛ елементи). У мікросхемі елемента ЕЗЛ (рис. 12) емітерні повторювачі вмикаються до виходів елемента для знімання інформації. При цьому перемикач струму складається з вхідних транзисторів, що використовуються для введення інформації і транзистора з опорною напругою. До виходу кожного повторювача підключають транзистори, кожний з який є вхідним елементом наступних перемікачів струму.

3. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧІ

Згідно з раніше вказаним, існує багато мікросхем, які працюють на наемітерно-зв'язаній логіці. Для їх дослідження необхідно було розробити тавиготовити експериментальний макет, на якому було б можливо проводитидослідження принципу їх роботи.

Крім того необхідно було розробити методичні вказівки щодо дослідженнялогічних елементів емітерно-зв'язаної логіки на цьому макеті.

4.ВІБІР СХЕМИ

Виберемо нескладну схему на мікросхемі К137ЛЄ3, яка складається з двохелементів АБО-НІ (Рис.14).

Мікросхема має 14 ніжок. 7-ма ніжка відповідає напрузі живлення +5 В,
14-та - заземлення. Перша ніжка не використовується. На рис. 14 такожвказана повна цокольовка схеми, а на рис. - Таблиця відповідності роботицієї мікросхеми.

Рис.14. Цокольовка мікросхеми К137ЛЕ3 та її принципова схема

Рис. 15. Таблиця відповідності мікросхеми К137ЛЕ3.

Таблицю відповідності ми наводимо для одного елемента АБО-НІ тому, щомікросхема складається з двох таких однакових елементів.

Для запобігання пошкодження мікросхеми через перенапруги на входіпоставлено стабілізатор напруги КРЕН5А розрахований на напругу 5В. Задляполегшення спостерігання проходження імпульсів на макеті під? єднано двасвітлодіоді. Для запобігання їх ушкодження встановлені два резистори на 330
Ом кожний.

5.КОНСТРУКЦІЯ МАКЕТ

Конструктивно макет виконаний у виді набору пластин розмірами 110х80мм.

Одна з пластин є лицьовою частиною макета. Вона у свою чергу міститьдві пластини: верхня - ламінованій поліетилен, нижня - ДВП. У них уставленізалізні розйомі верхнім діаметром 8 мм, нижнім - 6мм.

Друга пластина - друкована плата, виготовлена з фольгованогогетинакс, з вітравленімі доріжками за допомогою хлорованого заліза
(FeCl3). Для кращого контактування на доріжки нанесений припой.

Третя пластина є підставкою під макет, передбаченої щоб уникнутиконтакту плати зі сторонніми предметами. Вона виконана з ДВП поперечнимрозміром 3 мм.

доріжки на платі з лицьовою частиною макета з'єднані дротінкамідовжиною 30-50 мм і діаметром 0,5 мм.

Усі пластини з'єднані і закріплені за допомогою чотирьох болтіврозмірами 4х40 мм із потайною голівкою і шістнадцяти гайок відповідногодіаметра.

Таким чином, метод виготовлення макета - друкована плата з елементаминачіпного монтажу.

а)

б)

Рис.16. Схематичне зображення лицьової частини макета (а) та (б) --доріжок на платі.

6.ЗАВДАННЯ ДЛЯ ПІДГОТОВКИ ДО РОБОТИ

При підготовці до виконання даної лабораторної роботи студентиповинні:

1. Вивчити теоретичний матеріал відповідних лекцій.

2. Підготувати відповіді на контрольні питання, поміщенінаприкінці даного керівництва.

3. Заготовити звіт по даній лабораторній роботі, для чого

- виконати необхідні з'єднання для дослідження схеми даної мікросхеми

, підключивши до її інверсніх виходів як індикатори світлодіоді;

- нарісуваті позначення відповідно до ДСТ мікросхеми К137ЛЕ3;

- нарісуваті схему базового елемента емітерно-звязаної логіки.

- повторити опис лабораторної установки і порядок роботи з нею. < p> - задаючи різні комбінації вхідних логічних сигналів, визначити значення вихідний сигналу та за результатами вимірювань заповнити таблицю істіності для одного з елементів, з яких складається мікросхема К137ЛЕ3.

- без допомоги теорії, на основі результатів лабораторної роботи та аналіза складеної таблиці істіності для досліджуваного елемента візначіні функціональне значення логічного елемента.

Таблиця 3.
| X1 | X2 | X3 | Y |
| 0 | 0 | 0 | |
| 1 | 0 | 0 | |
| 0 | 1 | 0 | |
| 1 | 1 | 0 | |
| 0 | 0 | 1 | |
| 1 | 0 | 1 | |
| 0 | 1 | 1 | |
| 1 | 1 | 1 | |

4. Дослідити перемікальні характеристики, які зображені на рис. 13.

Також зафіксувати вхідні та вихідні струми логічних 0 та 1; порогові напруги логічних 0 та 1; струми споживання ІМС для станів 0 та 1, про які було сказано вище.

7 . ПОРЯДОК ВИКОНАННЯ РОБОТИ

1.Підготуваті до роботи вольтомметр. Уключіті лабораторну установку,установити напругу живлення - Еж = +5 В.

2. Дослідити в лабораторній роботі пристрій, представлений на рис.15.
Пристрій являє собою 2 елементи 3АБО-НІ, виконаних на мікросхемі серії
К137.

3. Задати необхідні значення сигналів Х2, Х1 і, формуючи на кожному здвох елементів АБО-НІ сигнал У1 та У2, дослідити таблицю переходів.

4. Заповнити таблицю переходів у бланку звіту і показати її викладачуз демонстрацією переходів елемента з одного стану в інший безпосередньо намакеті лабораторної установки.

5. Подати на один із входів логічного елемента імпульсний сигнал
Uвх = 5В, час імпульсу ti = 0.5 мс, період Т = 1мс; зняти залежність Uвих = f (Uвх)та дослідити часові спотворення. Визначити рівень вихідних напруг длямікросхем даної серії.

6. Виявити швидкодію мікросхеми, також зафіксувати вхідні та вихідніструми логічних 0 та 1; порогові напруги логічних 0 та 1; струми споживання
ІМС для станів 0 та 1.

8. КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ
1. Якими значеннями змінних оперує алгебра логіки?
2. Основні форми завдання ФАЛ
3. Віглядд основних логічних функцій в алгебраїчній формі.
4. Що таке "логічний елемент"?
5. Які логічні функції виконують елементи пірса та Шеффера?
6. Чим визначається число можливих комбінацій вхідних змінних для будь -якого логічного елемента?
7. Назвати параметри міпросхемі ЕЗЛ.

ВИСНОВКИ

В результаті виконаної курсової роботи виготовлено лабораторний макет,який виявився працездатним. Розроблені та надані рекомендації і методичнівказівки щодо виконання дослідження на цьому макеті.

Список використаних джерел

1. Зельдин Е. А. Цифрові інтегральні мікросхеми в інформаційно-вимірювальної літературі. -Л.: Энергоатомиздат, 1986.-276 с.

2. Каган Б. М. Електронні обчислювальні машини і системи.

-М.: Енергія, 1979. -525с.

3. Куценко В. М., Згурський А. В., Сташук Л.Д. Імпульсні та цифрові вузли ЕОМ і техніки зв'язку. Лабораторний практикум: Учеб пособие.

-К.: Вища шк. Головне видавництво, 1989.-157 с.

4. Застосування інтегральних мікросхем в електронній обчислювальної техніки/Под ред. Б. Н. Файзулаева, Б. В. Тарабрін. -М.: Радіо і сязь, 1987. -380 С.

5. Цифрові обчислювальні машини і системи. -М.: Енергія, 1979. -525 С.

-----------------------< br>